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69久久国产露脸精品国产 介质损耗因子、介质损耗角正切基本概念与影响因素

更新时间:2024-03-28      点击次数:6128

一、介质损耗的基本概念

1. 质损耗

电介质在电场作用下 ( 电压 ),要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗;电导过程中,电学性 泄漏 电流流过 绝缘电阻 当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量,即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为 介质 损耗 。显然, 介质损耗 过程随极化过程和电导过程同时进行。 介质损耗 掉的能量 (电能)变成了热能,使电介质温度升高。若 介质损耗 过大,则电介质温度将升得过高,这将加速电介质的热分解与老化,最终可能导致 绝缘 性能的失去,所以研究 介质损耗 有十分重要的意义。



2. 质损耗 的基本形式

(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关,故这部分损耗在直流交流下都存在。气体 介质以及 绝缘 良好的液、固体电介质,电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。

(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空 电荷极化引起的损耗。在直流 电压 作用下,由于极化过程仅在 电压 施加后很短时间内存在,与电导损耗相比可忽路。而在交流 电压 作用下,由于电介质随交流 电压 性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化,极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时,极化过程反而减弱,损耗减小。极化损耗与温度也有关,在某一温度下极化 耗达最大。

(3)游离损耗,游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放 所造成的损耗。这是因为放电时,产生带电粒子需要游离能, 电时出现光 声、热、化学效应也要消耗能量 游离能随电场 强度 的增大而增大。

二、介质损失角正切 tan δ

由上可见,在直流 电压 作用下, 介质损耗 主要为电导损耗,因此,电导率 γ 电阻率 ρ 既表示介质电导的特性,同时也表征了 介质损耗 的特性。但在交流 作用下, 种形式的损耗都存在,为此 一个新的物理 量来 表征 介质损耗 的特性,这个物理量就是tan δ

1.并联等值电路及 耗功率的计算公式

电介质两端施加一交流 电压image.png 时,就有电流I 流过介质。I 有三个电流分量组成

image.png

式中 image.png ——电导过程的电流,为阻性电流,与 image.png 同相位;

image.png ——无损极化和有损极化时的电流

对应的等值电路如图 2-9(a)所示,此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和C p 相并联的等值电路。此并联等值电路的 量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角 θ 的余角为 δ 角。由相量图可见, 介质损耗 功率越大,I R 越大, δ 角也越大,因此 δ 角称为介质损失角。

image.png

对此并联等值电路,可写出 介质损耗 功率 P的计算公式

image.png

当然,图 2-9(b)的电路也可以简化成由r和C s 相串联的等值电路,可以证明

image.png

tan δ 很小时, C s C

对于串联等值电路,同样可以推出损耗功率的计算公式

image.png

2.tan δ 值的意义

介质损耗 功率 P的计算公式看,我们若用P来 介质损耗 的程度是不方便的,因为P值与试验 电压 U的高低、试验 电压 的角频率 ω ( ω =2 Π f)、电介质等值电容量C p  (或C s )以及tan δ 值有关。而若在试验 电压 、频率、电介质尺寸一定的情况下,那么 介质损耗 功率仅取决于 tan δ ,换句话说,也就是tan δ 是与 电压 、频率、 绝缘 尺寸无关的量,它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tan δ 是表征 介质损耗 程度的物理量,与 ε r γ 相当。这样,我们可以通过 试验测量 电介质的tan δ 值,并以此来判断 介质损耗 的程度。各种结构固 电介质的tan δ 如表2-2所示。

2-2 各种结构固体电介质的tan δ

(1MHz,20℃时)

电介质结构

名称

tanδ

分子结构

非极性分子

聚苯乙烯 聚四氟乙烯

小于 0.0002

极性分子

纤维素 有机玻璃

0.01~0.015

离子结构

晶格结构紧密

小于 0.0002        小于0.0002

晶格结构不紧密

多铝红柱石

0.015

晶格畸变的晶体

锆英石

0.02

无定形结构

硅酸铅玻璃 硅碱玻璃

0.001              0.01

不均匀结构


绝缘 子瓷 浸渍纸 绝缘

0.01                0.01

三、影响  tan δ 的因素

影响 tan δ 值的因素主要有温度、频率和 电压

1.温度对tan δ 值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异

中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起,故温度对 tan δ 的影响与温度对电导的影响相似,即tan δ 随温度的升高而按指数规律增大,且tan δ 较小。

极性介质中,极化损耗不能忽略, tan δ 值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t< t 1 时,由于温度较低,电导损耗与极化损耗都小,电导损耗随温度升高而略有增大,而极 化损耗随温度升高也增大 (黏滞性减小,偶极子转向容易),所以tan δ 随温度升高而增大。当温度在t 1 t<t 2 时,温度已不太低,此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列,极化损耗随温度升高而降低,而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度,因此tan δ 随温度升高而减小。当温度在t>t 2 时,温度已很高,电导损耗已占主导地位,tan δ 又随温度升高而增大。

2.频率对tan δ 的影响主要体现于频率对极化损耗的影响

tan δ 与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内,随频率的升高,偶极子往复转向频率加快,极化程度加强, 介质损耗 增大,tan δ 值增大。当频率超过某一数值后,由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用,来不及随 电压 极性的改变而转向,极化作用减弱,极化损耗下降,tan δ 值降低。

image.png

3. 电压 tan δ 的影响主要表现为电场 强度 tan δ 值的影响

在电场 强度 不很高的一定范围内,电场 强度 增大 (由于 电压 升高), 介质损耗 功率变大,但tan δ 几乎不变。当电场 强度 达到某一较高数值时,随着介质内部不可避免存在的弱点或

气泡发生局部放电, tan δ 随电场 强度 升高而迅速增大。因此,在较高 电压 下测tan δ 值,可 以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。

此外,湿度对暴露于空气中电介质的 tan δ 影响也很大。介质受潮后,电导损耗增大,tan δ 也增大,例如 绝缘 纸中水分含量从4%增加到10%,tan δ 值可增大100倍。然而,假 tan δ 值的测试是在温度低于0~5℃时进行,含水量增加tan δ 反而不会增大,这是因为此 时介质中的水分已凝结成冰,导电性又变差,电导损耗变小的缘故。为此,在进行 绝缘 试验 时规定被试品温度不低于+5℃,这对tan δ 的测试尤为重要,

在工程实际中,通过 tan δ 以及tan δ = f(u)曲线的测量及判断,对监督 绝缘 的工作状况 以及老化的进程有非常重要的意义。

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